电子特气行业分析报告

一、核心种类与应用场景

电子特气是半导体制造的核心材料，广泛应用于刻蚀、沉积、掺杂等关键工艺环节，其纯度要求通常达到99.999%（5N）以上，部分高端气体需达到9N级（99.9999999%）。

1?? 刻蚀气体

氟基气体：

• 三氟化氮（NF?）：用于硅刻蚀，中船特气NF?产能达1.1万吨/年，全球排名第二
• 六氟乙烷（C?F?）：用于高深宽比结构刻蚀，先微气体C?F?已进入长鑫存储供应链

氯基气体：

• 氯气（Cl?）：用于金属钨刻蚀，纯度需≥5N，南大光电实现规模化生产

溴基气体：

• 溴化氢（HBr）：用于锗硅刻蚀，先微气体HBr纯度达99.9995%，适配28nm制程

2?? 沉积气体

硅烷类：

• 硅烷（SiH?）：用于氧化硅薄膜沉积，硅烷科技9N级产品打破日本信越化学垄断
• 二氯硅烷（SiH?Cl?）：用于外延生长，先微气体产品通过SK海力士认证

金属有机气体：

• 六氟化钨（WF?）：用于钨栓塞沉积，中船特气产能2000吨/年，全球市占率超15%

二、全球市场格局与竞争态势

头部企业加速技术替代

• 华特气体：产品覆盖50余种特气，Ar/F/Ne光刻混合气已进入台积电7nm产线
• 中船特气：三氟化氮产能达1.1万吨/年，全球排名第二
• 先微气体：布局百余种特气，预计2025年产能将达15万吨/年

三、技术突破与工艺创新

技术革新：纯度、效率与智能的三重跃迁

绿色制造：构建循环型产业体系

在"双碳"驱动下，循环经济技术加速落地。金宏气体"NF?裂解-再生"工艺使刻蚀废气回收率超过90%，年减排温室气体1.2万吨。

四、行业趋势与挑战

技术升级：高纯与精准双线突破

3nm制程对气体金属杂质要求低于5ppb，颗粒度小于0.1μm。中船特气已成功开发适配3nm的高纯GeH?，纯度达9N5，填补国内空白。

供应链挑战：设备与认证仍待突破

• 高端设备依赖进口：关键设备如PFA内衬精馏塔国产化率不足30%
• 认证周期长：国际客户认证周期普遍长达2–3年